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永続的識別子

info:ndljp/pid/3065270

タイトル

Si基板上に分子線エピタキシャル成長したGaAsの電気的特性と深い準位に関する研究

著者

伊藤明 [著]

出版年月日

1993

請求記号

UT51-93-D20

書誌ID（国立国会図書館オンラインへのリンク）

000000257355

DOI

10.11501/3065270

公開範囲

インターネット公開（許諾）

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資料種別 (materialType)

Book

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Manuscript

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DoctoralDissertation

タイトル (title)

Si基板上に分子線エピタキシャル成長したGaAsの電気的特性と深い準位に関する研究

タイトルよみ (titleTranscription)

Si キバンジョウ ニ ブンシセン エピタキシャル セイチョウシタ GaAs ノ デンキテキ トクセイ ト フカイ ジュンイ ニ カンスル ケンキュウ

著者 (creator)

伊藤明 [著]

著者標目 (creator)

伊藤, 明

著者よみ (creatorTranscription)

イトウ, アキラ

出版年月日(W3CDTF形式) (issued:W3CDTF)

1993

フォーマット(IMT形式) (format:IMT)

image/jp2

内容記述 (description)

博士論文

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博士論文

授与大学名 (degreeGrantor)

名古屋工業大学

授与大学名よみ (degreeGrantorTranscription)

ナゴヤ コウギョウ ダイガク

博論報告番号 (dissertationNumber)

甲第109号

授与年 (dateGranted)

平成5年3月23日

学位 (degreeName)

博士 (工学)

永続的識別子 (identifier:NDLJP)

info:ndljp/pid/3065270

URL (identifier:URI)

https://dl.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/3065270

DOI (identifier:DOI)

10.11501/3065270

NDL請求記号 (callNumber)

UT51-93-D20

原資料のNDL書誌ID (sourceIdentifier:NDLBibID)

000000257355

NDLC (subject:NDLC)

UT51

コレクション情報 (type:collection)

博士論文

デジタル化出版者 (digitizedPublisher)

国立国会図書館

提供者 (provider)

大規模デジタル化（博士論文）

提供制限 (accessRights)

インターネット公開

公開範囲 (rights)

インターネット公開（許諾）

階層レベル (type:biblevel)

0

サムネイルURL (thumbnailUrl:thumbnailUrl)

https://dl.ndl.go.jp/titleThumb/info:ndljp/pid/3065270

サムネイルファイル名 (thumbnailFileName:thumbnailFileName)

000000257355thumb.jpg

出版地（国名コード） (publicationPlace:ISO3166)

JP

授与大学 (degreeGrantor:JISX0408)

0045

目次 (tableOfContents)

目次 / p1 (0004.jp2)

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第1章 序論 / p4 (0006.jp2)

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1.1 本研究の背景 / p4 (0006.jp2)

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1.2 本研究の目的 / p7 (0007.jp2)

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1.3 本研究の概要 / p8 (0008.jp2)

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参考文献 / p10 (0009.jp2)

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第2章 短時間熱処理によるSiOx保護膜を付けたMBE GaAsの深い準位の変化 / p13 (0010.jp2)

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2.1 序 / p13 (0010.jp2)

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2.2 実験方法 / p15 (0011.jp2)

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2.3 接合容量を用いた深い準位の評価法 / p18 (0013.jp2)

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2.4 実験結果と検討 / p28 (0018.jp2)

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2.5 結言 / p38 (0023.jp2)

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参考文献 / p39 (0023.jp2)

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第3章 短時間熱処理によるSiNx保護膜を付けたMBE GaAsの深い準位の変化 / p41 (0024.jp2)

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3.1 序 / p41 (0024.jp2)

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3.2 実験方法 / p42 (0025.jp2)

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3.3 実験結果と検討 / p43 (0025.jp2)

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3.4 結言 / p51 (0029.jp2)

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参考文献 / p52 (0030.jp2)

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第4章 短時間熱処理によるMBE GaAs on Si中の深い準位の変化 / p53 (0030.jp2)

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4.1 序 / p53 (0030.jp2)

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4.2 実験方法 / p54 (0031.jp2)

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4.3 実験結果と検討 / p55 (0031.jp2)

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4.4 結言 / p63 (0035.jp2)

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参考文献 / p64 (0036.jp2)

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第5章 MBE GaAs on Si中の結晶性の乱れと熱処理による変化 / p66 (0037.jp2)

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5.1 序 / p66 (0037.jp2)

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5.2 実験方法 / p67 (0037.jp2)

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5.3 ラマン分光法の原理 / p68 (0038.jp2)

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5.4 実験結果と検討 / p72 (0040.jp2)

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5.5 結言 / p81 (0044.jp2)

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参考文献 / p80 (0044.jp2)

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第6章 MBE GaAs on Siの表面及び界面状態の非接触評価 / p83 (0045.jp2)

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6.1 序 / p83 (0045.jp2)

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6.2 反射マイクロ波法を用いた表面及び界面付近の評価 / p83 (0045.jp2)

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6.3 実験方法 / p86 (0047.jp2)

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6.4 実験結果及び検討 / p88 (0048.jp2)

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6.5 結言 / p94 (0051.jp2)

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参考文献 / p95 (0051.jp2)

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第7章 MBE GaAs on Siの電気的特性 / p97 (0052.jp2)

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7.1 序 / p97 (0052.jp2)

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7.2 分光感度から拡散長を求める方法 / p97 (0052.jp2)

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7.3 ヘテロ接合の電流-電圧特性 / p100 (0054.jp2)

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7.4 実験方法 / p101 (0054.jp2)

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7.5 実験結果及び検討 / p103 (0055.jp2)

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7.6 結言 / p112 (0060.jp2)

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参考文献 / p113 (0060.jp2)

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第8章 総括 / p114 (0061.jp2)

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謝辞 / p118 (0063.jp2)

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本研究に関する発表 / p119 (0063.jp2)

URL

https://dl.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/3065270