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分子線エピタキシー法によるInP系化合物半導体のヘテロエピタキシャル成長初期過程および界面制御に関する研究

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目次・巻号

  • 分子線エピタキシー法によるInP系化合物半導体のヘテロエピタキシャル成長初期過程および界面制御に関する研究 [82]
    • 分子線エピタキシー法によるInP系化合物半導体のヘテロエピタキシャル成長初期過程および界面制御に関する研究
    • 目次/p1
    • 第1章 序論/p1
    • §1.1 InP系化合物半導体の特徴とそのデバイスへの応用/p1
    • §1.2 InP系化合物半導体ヘテロエピタキシーの応用とその研究/p2
    • §1.3 InP系化合物半導体ヘテロエピタキシーの問題点/p4
    • 1.3.1 格子不整合/p4
    • 1.3.2 アンチフェーズドメイン(APD)/p7
    • 1.3.3 界面電荷中和則/p9
    • 1.3.4 リン(P)安定化面の形成/p10
    • 1.3.5 熱膨張係数差/p11
    • §1.4 分子線エピタキシー(MBE)成長法の特徴とPソースの選定/p13
    • §1.5 MBE法によるInPエピタキシャル成長/p18
    • 1.5.1 lnPエピタキシャル成長方法/p18
    • 1.5.2 反射高速電子線回折(RHEED)を用いたその場観察/p19
    • 1.5.3 マイグレーション・エンハンスト・エピタキシー(MEE)法/p25
    • §1.6 本研究の目的/p27
    • §1.7 参考文献/p30
    • 第2章 InP(100)基板上へのSiヘテロエピタキシャル層の成長初期過程/p35
    • §2.1 序言/p35
    • §2.2 実験方法/p36
    • §2.3 成長過程および界面形成/p38
    • 2.3.1 反射高速電子線回折(RHEED)によるその場観察/p38
    • 2.3.2 ヘテロ界面におけるln原子とSi原子との入れ替わり/p47
    • 2.3.3 lnP(100)基板上のSi層の表面超構造/p49
    • 2.3.4 Si/lnP(100)ヘテロエピタキシーの成長初期過程/p50
    • §2.4 結言/p54
    • §2.5 参考文献/p56
    • 第3章 InP(100)基板上に成長したSi層へのInP成長初期過程/p58
    • §3.1 序言/p58
    • §3.2 実験方法/p60
    • §3.3 MBE法による成長過程/p61
    • §3.4 MEE法による成長過程/p69
    • §3.5 InP-Si系における成長過程/p75
    • §3.6 結言/p81
    • §3.7 参考文献/p82
    • 第4章 Si(100)基板上へのAIPヘテロエピタキシー/p84
    • §4.1 序言/p84
    • §4.2 実験方法/p86
    • 4.2.1 AIP/GaP(100)ヘテロエピタキシー/p86
    • 4.2.2 AIP/Si(100)ヘテロエピタキシー/p86
    • §4.3 GaP(100)基板上のAIPヘテロエピタキシー/p89
    • §4.4 MBE法によるAIP/Si(100)ヘテロエピタキシー/p96
    • §4.5 低温MEE法によるAlP/Si(100)ヘテロエピタキシー/p96
    • 4.5.1 RHEEDによるその場観察/p96
    • 4.5.2 オージェ電子分光法/p106
    • 4.5.3 AIP/Si(100)ヘテロエピタキシーの成長過程/p108
    • §4.6 結言/p109
    • §4.7 参考文献/p110
    • 第5章 GaAs(100)基板上のInPヘテロエピタキシャル成長/p111
    • §5.1 序言/p111
    • §5.2 実験方法/p112
    • §5.3 MBE法によるGaAs(100)基板上へのInP直接成長/p115
    • §5.4 MEE法によるGaAs(100)基板上へのInP直接成長/p119
    • §5.5 固相エピタキシャル(SPE)層を用いた2段階成長法/p121
    • 5.5.1 アモルファスlnP(a-lnP)層の形成/p121
    • 5.5.2 SPE成長過程/p125
    • 5.5.3 2段階成長/p129
    • §5.6 結言/p132
    • §5.7 参考文献/p133
    • 第6章 総括/p135
    • 付録A 結晶表面とRHEED鏡面反射点強度の半値全幅との関係/p139
    • 謝辞/p143
    • 本研究に関する発表/p144

書誌情報

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https://dl.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/3074017/1

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