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Investigation on the initial growth process and interface formation of Si-GaAs heterostructures grown by molecular beam epitaxy

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目次・巻号

  • Investigation on the initial growth process and interface formation of Si-GaAs heterostructures grown by molecular beam epitaxy [180]
    • 論文要旨/p2
    • CONTENTS/p6
    • Chapter1.Introduction./p1
    • 1.1 GaAs and Si:two of the most important semiconductors/p1
    • 1.2 Applications of the growth of GaAs on Si/p2
    • 1.3 Problems of the growth of GaAs on Si/p3
    • 1.4 Purpose of the present work/p12
    • 1.5 References/p14
    • Chapter2.Molecular beam epitaxial growth of GaAs and Si./p16
    • 2.1 Description of the molecular beam epitaxial growth system/p16
    • 2.2 Refelction-high energy electron diffraction/p18
    • 2.3 Review of the growth process of GaAs on GaAs substrates/p19
    • 2.4 Silicon-molecular beam epitaxy/p31
    • 2.5 References/p37
    • Chapter3.Growth of GaAs on GaAs(110)substrates./p40
    • 3.1 Properties of the GaAs(110)surface/p40
    • 3.2 Problems in the growth by molecular beam epitaxy/p41
    • 3-3 Growth by migration enhanced epitaxy/p47
    • 3.4 Conclusions/p52
    • 3.5 References/p53
    • Chapter4.Growth mechanism of GaAs on Si(110)substrates./p55
    • 4.1 Properties of the(110)surfaces/p55
    • 4.2 Growth by molecular beam epitaxy/p56
    • 4.3 Growth by migration enhanced epitaxy/p77
    • 4.4 Conclusions/p79
    • 4.5 References/p81
    • Chapter5.Initial growth mechanism of Si on GaAs substrates./p83
    • 5.1 Why to study the growth of Si on GaAs?/p83
    • 5.2 Si on GaAs(100)/p84
    • 5.3 Growth mode of Si on GaAs(100)-and on GaAs(111)B substrates/p101
    • 5.4 Conclusions/p105
    • 5.5 References/p106
    • Chapter6.Growth process of GaAs on Si films grown on GaAs(100)substrates./p108
    • 6.1 Applications of the GaAs/Si/GaAs heterostructure/p108
    • 6.2 Growth by molecular beam epitaxy/p110
    • 6.3 Growth by migration enhanced epitaxy/p122
    • 6.4 Implications for the GaAs on Si substrates heteroepitaxy/p130
    • 6.5 Conclusions/p131
    • 6.6 References/p132
    • Chapter7.Summary and future prospects/p134
    • Appendix A.Theory of reflection high-energy electron diffraction/p138
    • Appendix B.Details of the growth by migration-enhanced epitaxy/p144
    • Appendix C.Calculation of the RHEED patterns from twined regions/p153
    • Appendix D.Calculation of the number of slip systems for perfect dislocations in the zincblende structure/p159
    • Acknowledgments/p163
    • List of papers related with the present dissertation/p164

書誌情報

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https://dl.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/3089243/1

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