書誌情報

簡易表示

永続的識別子

info:ndljp/pid/3101710

タイトル

SOI(Silicon-on-Insulator)構造を用いた高性能機械量センサに関する研究

著者

李榮泰 [著]

出版年月日

1995

請求記号

UT51-95-M59

書誌ID（国立国会図書館オンラインへのリンク）

000000285296

DOI

10.11501/3101710

公開範囲

国立国会図書館／図書館送信参加館内公開

詳細表示

資料種別 (materialType)

Book

---

Manuscript

---

DoctoralDissertation

タイトル (title)

SOI(Silicon-on-Insulator)構造を用いた高性能機械量センサに関する研究

タイトルよみ (titleTranscription)

SOI (Silicon - on - Insulator) コウゾウ オ モチイタ コウセイノウ キカイリョウ センサ ニ カンスル ケンキュウ

著者 (creator)

李榮泰 [著]

著者標目 (creator)

李, 榮泰

著者よみ (creatorTranscription)

イー, ヨンテ

出版年月日(W3CDTF形式) (issued:W3CDTF)

1995

フォーマット(IMT形式) (format:IMT)

image/jp2

内容記述 (description)

博士論文

---

博士論文

授与大学名 (degreeGrantor)

豊橋技術科学大学

授与大学名よみ (degreeGrantorTranscription)

トヨハシ ギジュツ カガク ダイガク

博論報告番号 (dissertationNumber)

甲第126号

授与年 (dateGranted)

平成7年3月23日

学位 (degreeName)

博士 (工学)

永続的識別子 (identifier:NDLJP)

info:ndljp/pid/3101710

URL (identifier:URI)

https://dl.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/3101710

DOI (identifier:DOI)

10.11501/3101710

NDL請求記号 (callNumber)

UT51-95-M59

原資料のNDL書誌ID (sourceIdentifier:NDLBibID)

000000285296

NDLC (subject:NDLC)

UT51

コレクション情報 (type:collection)

博士論文

デジタル化出版者 (digitizedPublisher)

国立国会図書館

提供者 (provider)

大規模デジタル化（博士論文）

提供制限 (accessRights)

国立国会図書館/図書館送信限定公開

公開範囲 (rights)

国立国会図書館／図書館送信参加館内公開

階層レベル (type:biblevel)

0

サムネイルURL (thumbnailUrl:thumbnailUrl)

https://dl.ndl.go.jp/titleThumb/info:ndljp/pid/3101710

サムネイルファイル名 (thumbnailFileName:thumbnailFileName)

000000285296thumb.jpg

出版地（国名コード） (publicationPlace:ISO3166)

JP

授与大学 (degreeGrantor:JISX0408)

0085

目次 (tableOfContents)

論文要旨 / (0003.jp2)

---

目次 / (0007.jp2)

---

第1章 序論 / p1 (0011.jp2)

---

1.1 本研究の背景と目的 / p1 (0011.jp2)

---

1.2 研究の概要 / p3 (0013.jp2)

---

参考文献 / p7 (0017.jp2)

---

第2章 半導体のピエゾ抵抗効果 / p8 (0018.jp2)

---

2.1 序論 / p8 (0018.jp2)

---

2.2 ピエゾ抵抗効果 / p8 (0018.jp2)

---

2.3 垂直応力とせん断応力 / p13 (0023.jp2)

---

2.4 結び / p15 (0025.jp2)

---

参考文献 / p16 (0026.jp2)

---

第3章 SOI(Silicon-on-Insulator)構造を用いたセンサ製作技術 / p17 (0027.jp2)

---

3.1 序論 / p17 (0027.jp2)

---

3.2 SOI構造の形成 / p17 (0027.jp2)

---

3.3 SOI構造のセンサ製作工程への応用 / p26 (0036.jp2)

---

3.4 SOI構造の残留応力 / p33 (0043.jp2)

---

3.5 結び / p36 (0046.jp2)

---

参考文献 / p37 (0047.jp2)

---

第4章 半導体機械量センサの開発 / p39 (0049.jp2)

---

4.1 序論 / p39 (0049.jp2)

---

4.2 センサの開発 / p40 (0050.jp2)

---

4.3 結び / p48 (0058.jp2)

---

参考文献 / p50 (0060.jp2)

---

第5章 せん断応力型圧力センサ / p51 (0061.jp2)

---

5.1 序論 / p51 (0061.jp2)

---

5.2 せん断応力型圧力センサの基礎理論 / p51 (0061.jp2)

---

5.3 せん断応力型圧力センサ構造の最適化 / p55 (0065.jp2)

---

5.4 ダブルSOl構造(Si//Al2O3//Si//Al2O3//Si-substrate)を用いた高温用の圧力センサ / p72 (0082.jp2)

---

参考文献 / p83 (0093.jp2)

---

第6章 ピエゾ抵抗型圧力センサのオフセットとその温度ドリフットの評価及び補償 / p85 (0095.jp2)

---

6.1 序論 / p85 (0095.jp2)

---

6.2 ピエゾ抵抗型圧力センサのオフセットとその温度特性 / p86 (0096.jp2)

---

6.3 ダブルホイートンストンブリッジを用いたピエゾ抵抗型圧力センサーのオフセット及びその温度ドリフットの補償 / p89 (0099.jp2)

---

6.4 結び / p106 (0116.jp2)

---

参考文献 / p109 (0119.jp2)

---

第7章 8個のピエゾ抵抗を用いた低他軸感度加速度センサ / p111 (0121.jp2)

---

7.1 序論 / p111 (0121.jp2)

---

7.2 加速度センサ構造の最適化設計 / p112 (0122.jp2)

---

7.3 8個のピエゾ抵抗を用いた低他軸感度加速度センサ / p130 (0140.jp2)

---

参考文献 / p148 (0158.jp2)

---

第8章 結論 / p150 (0160.jp2)

---

付録A センサ製作プロセス / p152 (0162.jp2)

---

(a)ダブルSOI構造を用いた圧力センサ / p152 (0162.jp2)

---

(b)シングルSOI構造を用いた圧力センサ / p156 (0166.jp2)

---

(c)シングルSOI構造を用いた加速度センサ / p161 (0171.jp2)

---

付録B 加速度センサの構造的モデリング / p168 (0178.jp2)

---

謝辞 / p171 (0181.jp2)

---

本研究に関する発表論文 / p172 (0182.jp2)

URL

https://dl.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/3101710