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永続的識別子

info:ndljp/pid/3156224

タイトル

Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体ヘテロエピタキシーにおける貫通転位密度の低減および表面の平坦化に関する研究

著者

左文字克哉 [著]

出版年月日

1999

請求記号

UT51-99-S378

書誌ID（国立国会図書館オンラインへのリンク）

000000341416

DOI

10.11501/3156224

公開範囲

インターネット公開（許諾）

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資料種別 (materialType)

Book

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Manuscript

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DoctoralDissertation

タイトル (title)

Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体ヘテロエピタキシーにおける貫通転位密度の低減および表面の平坦化に関する研究

タイトルよみ (titleTranscription)

3 - 5ゾク カゴウブツ ハンドウタイ ヘテロエピタキシー ニ オケル カンツウ テンイ ミツド ノ テイゲン オヨビ ヒョウメン ノ ヘイタンカ ニ カンスル ケンキュウ

著者 (creator)

左文字克哉 [著]

著者標目 (creator)

左文字, 克哉

著者よみ (creatorTranscription)

サモンジ, カツヤ

出版年月日(W3CDTF形式) (issued:W3CDTF)

1999

フォーマット(IMT形式) (format:IMT)

image/jp2

内容記述 (description)

博士論文

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博士論文

授与大学名 (degreeGrantor)

豊橋技術科学大学

授与大学名よみ (degreeGrantorTranscription)

トヨハシ ギジュツ カガク ダイガク

博論報告番号 (dissertationNumber)

甲第224号

授与年 (dateGranted)

平成11年3月23日

学位 (degreeName)

博士 (工学)

永続的識別子 (identifier:NDLJP)

info:ndljp/pid/3156224

URL (identifier:URI)

https://dl.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/3156224

DOI (identifier:DOI)

10.11501/3156224

NDL請求記号 (callNumber)

UT51-99-S378

原資料のNDL書誌ID (sourceIdentifier:NDLBibID)

000000341416

NDLC (subject:NDLC)

UT51

コレクション情報 (type:collection)

博士論文

デジタル化出版者 (digitizedPublisher)

国立国会図書館

提供者 (provider)

大規模デジタル化（博士論文）

提供制限 (accessRights)

インターネット公開

公開範囲 (rights)

インターネット公開（許諾）

階層レベル (type:biblevel)

0

サムネイルURL (thumbnailUrl:thumbnailUrl)

https://dl.ndl.go.jp/titleThumb/info:ndljp/pid/3156224

サムネイルファイル名 (thumbnailFileName:thumbnailFileName)

000000341416thumb.jpg

出版地（国名コード） (publicationPlace:ISO3166)

JP

授与大学 (degreeGrantor:JISX0408)

0085

目次 (tableOfContents)

論文要旨 / (0003.jp2)

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目次 / p1 (0006.jp2)

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第1章 序論 / p1 (0008.jp2)

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1.1 III-V族化合物半導体の格子不整合ヘテロエピタキシー技術とその意義 / p1 (0008.jp2)

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1.2 格子不整合ヘテロエピタキシーの問題点 / p3 (0009.jp2)

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1.3 窒素を含む混晶の成長 / p11 (0013.jp2)

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1.4 本研究の目的 / p12 (0014.jp2)

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参考文献 / p15 (0015.jp2)

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第2章 分子線エピタキシーおよび評価装置 / p21 (0018.jp2)

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2.1 緒言 / p21 (0018.jp2)

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2.2 分子線エピタキシー(MBE) / p21 (0018.jp2)

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2.3 反射高速電子線回折(RHEED) / p24 (0020.jp2)

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2.4 透過型電子顕微鏡(TEM) / p26 (0021.jp2)

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2.5 X線回折(XRD) / p29 (0022.jp2)

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2.6 原子間力顕微鏡(AFM) / p31 (0023.jp2)

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参考文献 / p33 (0024.jp2)

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第3章 Si基板上InPヘテロエピタキシャル層における貫通転位の発生･抑制機構 / p35 (0025.jp2)

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3.1 緒言 / p35 (0025.jp2)

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3.2 InP-on-GaPヘテロエピタキシーにおける初期成長過程と貫通転位の発生機構 / p36 (0026.jp2)

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3.3 歪短周期超格子(SSPS)の導入によるInP-on-Siの貫通転位密度の低減 / p41 (0028.jp2)

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3.4 結言 / p53 (0034.jp2)

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参考文献 / p55 (0035.jp2)

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第4章 (InAs)₁(GaAs)₄歪短周期超格子およびIn₀.₂Ga₀.₈As混晶の成長における格子緩和過程 / p57 (0036.jp2)

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4.1 緒言 / p57 (0036.jp2)

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4.2 実験方法 / p57 (0036.jp2)

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4.3 GaAs基板上(InAs)₁(GaAs)₄歪短周期超格子およびIn₀.₂Ga₀.₈As混晶の格子緩和過程 / p59 (0037.jp2)

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4.4 XRDおよびTEMによる格子緩和率の測定 / p63 (0039.jp2)

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4.5 AFMによる表面モフォロジーの観察 / p66 (0041.jp2)

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4.6 結言 / p69 (0042.jp2)

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参考文献 / p71 (0043.jp2)

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第5章 In₀.₂Ga₀.₈As-on-GaAsにおける表面クロスハッチパターンの形成機構 / p73 (0044.jp2)

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5.1 緒言 / p73 (0044.jp2)

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5.2 実験方法 / p73 (0044.jp2)

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5.3 クロスハッチ･パターンの初期形成過程 / p79 (0047.jp2)

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5.4 クロスハッチ･パターンの成長機構 / p81 (0048.jp2)

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5.5 低温成長による表面ラフネスの低減 / p86 (0051.jp2)

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5.6 結言 / p89 (0052.jp2)

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参考文献 / p91 (0053.jp2)

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第6章 Siに格子整合するGaPN混晶による結晶欠陥発生の抑制 / p93 (0054.jp2)

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6.1 緒言 / p93 (0054.jp2)

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6.2 Siに格子整合するGa(As₁₋yPy)₁₋χNχ量子井戸構造の提案 / p94 (0055.jp2)

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6.3 GaP基板上におけるGaP₁₋χNχの成長 / p98 (0057.jp2)

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6.4 GaPバッファー層の導入とSiにほぼ格子整合するGaP₁₋χNχ混晶による無欠陥GaP₁₋χNχ-on-Siの成長 / p103 (0059.jp2)

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6.5 結言 / p110 (0063.jp2)

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参考文献 / p111 (0063.jp2)

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第7章 総括 / p113 (0064.jp2)

URL

https://dl.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/3156224