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Maskless Selective Epitaxy of 3-5 Semiconductors by Using a Low Energy Focused Ion Beam

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目次・巻号

  • Maskless Selective Epitaxy of 3-5 Semiconductors by Using a Low Energy Focused Ion Beam [65]
    • 論文要旨/p2
    • CONTENTS/p8
    • Chapter 1.Focused ion beam technology and application/p1
    • 1.1 Introduction/p1
    • 1.2 Maskless selective deposition using low energy focused ion beam/p3
    • 1.3 Focused ion beam system/p4
    • 1.4 Why to study maskless selective epitaxy of III-V semiconductors/p22
    • 1.5 Aim and outline of this thesis/p24
    • References/p25
    • Chapter 2.Maskless selective epitaxy of InxGa₁₋x As using low energy In₀.₁₅Ga₀.₈₅-FIB and As₄ molecular beam/p31
    • 2.1 Introduction/p31
    • 2.2 Experiment/p31
    • 2.3 Results and discussion/p39
    • 2.4 Conclusion/p51
    • References/p52
    • Chapter 3.Maskless selective epitaxy of GaN by a Ga low energy focused ion beam and dimethylhydrazine/p53
    • 3.1 Introduction/p53
    • 3.2 Crystal structure and polarity of III-Nitrides/p55
    • 3.3 Experimental techniques/p60
    • 3.4 Results and discussion/p67
    • 3.5 Conclusion/p76
    • References/p77
    • Chapter 4.Maskless selective epitaxy of InGaN by an InGa low energy focused ion beam and dimethylhydrazine/p81
    • 4.1 Introduction/p81
    • 4.2 Maskless selective growth of InGaN/p82
    • 4.3 Results and discussion/p84
    • 4.4 Conclusion/p94
    • References/p95
    • Chapter 5.Maskless selective direct doping and growth of group III-V semiconductors with Si- or Sn-doped low energy FIB/p97
    • 5.1 Introduction/p97
    • 5.2 Experimental methods/p98
    • 5.3 Maskless selective doping and growth/p99
    • 5.4 Conclusion/p102
    • References/p103
    • Chapter 6.Summary and future prospects/p104
    • Acknowledgments/p107
    • List of published paper/p108
    • International conferences/p109
    • Domestic conferences/p110

書誌情報

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https://dl.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/3183693/1

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